2009年4月11日，教育部科技发展中心委托同济大学在上海组织专家委员会对电信学院电子系高玉竹副研究员完成的“熔体外延法生长的8-12um波段的InAsSb单晶”项目进行了鉴定。鉴定会由中科院院士夏建白研究员担任专家委员会的主任委员。电信学院副院长刘富强到会讲话，电子系主任罗胜钦主持鉴定会。
鉴定委员会认真听取了研究报告、测试报告和用户报告，观察了晶体材料和器件样品，审阅了有关资料，经过认真讨论，形成了以下鉴定意见：熔体外延技术是该项目负责人高玉竹发明的一种新的晶体生长技术，是液相外延技术的一个重要发展。InAsSb（铟砷锑）是一种新的红外材料，可用于制作室温长波红外探测器。该项目采用熔体外延法在国内率先生长出了厚度大于100um的InAsSb外延单晶，截止波长进入8-12um波段。测量结果表明，InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量，位错密度达到10的4次方/cm2量级。室温下霍尔测量得到的电学指标如下：载流子浓度为1-3×10的16次方cm-3，电子迁移率大于50000 cm2/Vs。由本项目提供的InAsSb材料，制作出了2-9um波段的高灵敏度室温红外探测器。该器件为浸没型光导器件，浸没透镜为单晶Si（硅）光学透镜。在透镜上镀有一层SiO（一氧化硅）或ZnS（硫化锌）增透膜的情况下，测得的黑体响应率达到168V/W，黑体探测率为2×10的8次方～1×10的9次方cm•Hz1/2W-1，峰值探测率大于1×10的9次方cm•Hz1/2W-1，响应时间小于1us。综上所述，材料质量优于国际公开报道的水平，为我国红外技术的发展提供了一种新材料。探测器的性能指标已达到应用水平，显示了该材料应用于室温中、长波红外探测器的良好前景。该成果的综合技术在国内处于领先地位。
高玉竹副研究员早在日本静冈大学留学期间，通过改变常规的液相外延（LPE）生长工艺，发明了熔体外延（melt epitaxy, 简称ME）生长法，并用ME法在常规液相外延系统中生长出了截止波长8-12um的InAsSb单晶材料，在国际科学杂志上发表了一批论文，曾获得了国际上的承认。回国后，她连续3次承担了该领域中的国家自然科学基金项目，经5年的继续深入研究，终于用熔体外延法生长的8-12um波段的InAsSb单晶，取得了目前阶段性的研究成果。
鉴定委员会认真听取了研究报告、测试报告和用户报告，观察了晶体材料和器件样品，审阅了有关资料，经过认真讨论，形成了以下鉴定意见：熔体外延技术是该项目负责人高玉竹发明的一种新的晶体生长技术，是液相外延技术的一个重要发展。InAsSb（铟砷锑）是一种新的红外材料，可用于制作室温长波红外探测器。该项目采用熔体外延法在国内率先生长出了厚度大于100um的InAsSb外延单晶，截止波长进入8-12um波段。测量结果表明，InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量，位错密度达到10的4次方/cm2量级。室温下霍尔测量得到的电学指标如下：载流子浓度为1-3×10的16次方cm-3，电子迁移率大于50000 cm2/Vs。由本项目提供的InAsSb材料，制作出了2-9um波段的高灵敏度室温红外探测器。该器件为浸没型光导器件，浸没透镜为单晶Si（硅）光学透镜。在透镜上镀有一层SiO（一氧化硅）或ZnS（硫化锌）增透膜的情况下，测得的黑体响应率达到168V/W，黑体探测率为2×10的8次方～1×10的9次方cm•Hz1/2W-1，峰值探测率大于1×10的9次方cm•Hz1/2W-1，响应时间小于1us。综上所述，材料质量优于国际公开报道的水平，为我国红外技术的发展提供了一种新材料。探测器的性能指标已达到应用水平，显示了该材料应用于室温中、长波红外探测器的良好前景。该成果的综合技术在国内处于领先地位。
高玉竹副研究员早在日本静冈大学留学期间，通过改变常规的液相外延（LPE）生长工艺，发明了熔体外延（melt epitaxy, 简称ME）生长法，并用ME法在常规液相外延系统中生长出了截止波长8-12um的InAsSb单晶材料，在国际科学杂志上发表了一批论文，曾获得了国际上的承认。回国后，她连续3次承担了该领域中的国家自然科学基金项目，经5年的继续深入研究，终于用熔体外延法生长的8-12um波段的InAsSb单晶，取得了目前阶段性的研究成果。